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硅基多孔氧化铝膜的AES多层结构分析和生长过程研究
将电子束蒸发在硅衬底(P型,〈100〉晶向,0.5Ω·cm)上厚度400nm、纯度99.99%的铝膜,浸入具有中等溶解能力的15wt%,H2SO4中,DC恒压60V、恒温0℃条件下,进行多孔型过度阳极氧化......
期刊
阳极氧化
硅基
多层结构
多孔氧化铝膜
氧化铝膜
Anodic oxidation
Si_based porous alumina
AES
Multi_l
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