将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０．５Ω·ｃｍ）上厚度４００ｎｍ、纯度９９．９９％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ｗｔ％，Ｈ２ＳＯ４中，ＤＣ恒压６０Ｖ、恒温０℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化......